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SKY-P42R05（8”x2)
碳化硅外延設備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長的專用設備，這一過程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導體器件的關(guān)鍵步驟。納設智能全自動雙腔設備采用創(chuàng)新的雙反應腔協(xié)同設計，通過模塊化腔體結(jié)構(gòu)和智能控制系統(tǒng)，實現(xiàn)雙腔同步運行與工藝參數(shù)獨立調(diào)控，為規(guī)?；慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
智能制造 兼容AGV&天車，可實現(xiàn)全自動化配套； 配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿足不同產(chǎn)品規(guī)格。 自主安全 通過SEMI認證，符合行業(yè)標準和規(guī)范； 具備自主知識產(chǎn)權(quán)，具有獨特的技術(shù)優(yōu)勢。
SKY-P40R02（8”x1)
納設智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術(shù)路線實現(xiàn)外延生長，獨創(chuàng)的反應腔室設計配備可獨立控制的多區(qū)進氣系統(tǒng)，顯著提升了外延片的均勻性，同時降低外延缺陷率。
反應腔室 石墨腔室配件數(shù)量少，結(jié)構(gòu)更簡化；? 腔室進氣/傳片方式獨特，減少外延掉落物。 尾氣系統(tǒng) 維護僅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作；? 維護無需分離傳輸腔，只打開腔室后端法蘭，維護簡易。 氣體系統(tǒng) 5區(qū)進氣，乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨立控制；? 各區(qū)碳硅比獨立控制，調(diào)整更靈活。 晶圓控制 工藝中晶圓轉(zhuǎn)速可精確調(diào)控；? 工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。
SKY-P20R02（6”x1)
納設智能的6英寸碳化硅外延設備，采用水平熱壁技術(shù)路線實現(xiàn)單片式生長，兼容6英寸、4英寸外延片，設備性能可靠，已穩(wěn)定量產(chǎn)。
精確：氣路獨立可控 ● 精湛：工藝指標優(yōu)異 ● 低耗：耗材成本更低? ● 省時：維護頻次更低? ● 進階：NP型靈活切換
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